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中文摘要:
工業(yè)級熒光光纖溫度傳感器讀出電路的I/O引腳需要片上集成高性能靜電放電(ESD)保護器件。采用0.18 μm標準BCD工藝制造的基本N型埋層柵控可控硅(NBL-GCSCR)失效等級難以滿足需求。因此,基于相同半導體工藝,提出片上集成新型高失效等級深N阱柵控可控硅(DNW-GCSCR)以有效解決上述問題。采用技術計算機輔助設計(TCAD)仿真分析器件特性??煽毓柰ㄟ^傳輸線脈沖(TLP)進行測試,以獲得準確ESD參數(shù)。具有縱向雙極晶體管(BJT)路徑的NBL-GCSCR維持電壓(24.03 V)明顯高于具有相同尺寸橫向可控硅路徑的DNW-GCSCR維持電壓(5.15 V)。NBL-GCSCR器件的失效電流為1.71 A,DNW-GCSCR器件的失效電流為20.99 A。當DNW-GCSCR柵極尺寸從2 μm增加到6 μm時,維持電壓為從3.50 V增加到8.38 V。優(yōu)化后的DNW-GCSCR(柵極尺寸6 μm)可以穩(wěn)定應用于目標讀出電路的片上靜電放電保護。
關鍵詞:
靜電擊穿;半導體器件可靠性;CMOS工藝
作者:
汪洋1,金湘亮1,楊健1,嚴峰1,劉煜杰1,彭艷2,羅均2,楊軍3 單位: 1湖南師范大學物理與電子科學學院,中國長沙市,4100812上海大學機電工程與自動化學院,中國上海市,2004443西安大略大學工程學院,加拿大安大略省倫敦市,N6A3K7 本文引用格式: Yang WANG, Xiangliang JIN, Jian YANG, Feng YAN, Yujie LIU, Yan PENG, Jun LUO, Jun YANG, 2022. Design and optimization of a gate-controlled dual direction electro-static discharge device for an industry-level fluorescent optical fiber temperature sensor.Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering, 23(1):158-170.https://doi.org/10.1631/FITEE.2000504 |
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