電場(chǎng)的精確測(cè)量，對(duì)于很多應(yīng)用都非常重要，例如天氣預(yù)報(bào)、工業(yè)設(shè)備的過(guò)程控制或者是高壓電纜工作人員的安全問(wèn)題等。然而從技術(shù)角度來(lái)說(shuō)，精確的電場(chǎng)測(cè)量并非易事。據(jù)麥姆斯咨詢(xún)報(bào)道，一支來(lái)自維也納技術(shù)大學(xué)（TU Wien）的研究團(tuán)隊(duì)突破當(dāng)前其它測(cè)量設(shè)備所采用的設(shè)計(jì)原理，開(kāi)發(fā)了一款硅基MEMS電場(chǎng)測(cè)量傳感器。通過(guò)和克雷姆斯多瑙河大學(xué)（Danube University Krems）集成傳感器系統(tǒng)研究院的合作，這款傳感器的主要設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)是它不會(huì)干擾正在測(cè)量的電場(chǎng)。該研究成果發(fā)表于近期出版的Nature Electronics雜志。MEMS電場(chǎng)傳感器的測(cè)量原理目前用于測(cè)量電場(chǎng)強(qiáng)度的設(shè)備具有一些顯著的缺陷， TU Wien傳感器和執(zhí)行器系統(tǒng)研究院的Andreas Kainz解釋稱(chēng)，這些設(shè)備均包含帶電部件。在測(cè)量時(shí)，這些導(dǎo)電金屬組件會(huì)顯著影響被測(cè)電場(chǎng)；如果設(shè)備需要接地以提供測(cè)量參考值，那么這種影響會(huì)被進(jìn)一步放大。因此這種電場(chǎng)測(cè)量設(shè)備往往相對(duì)不太實(shí)用，并且運(yùn)輸也較困難。TU Wien開(kāi)發(fā)的這款MEMS傳感器采用硅材料制造，并且基于非常簡(jiǎn)單的原理：一個(gè)微型彈簧，以及固定在該彈簧上用于測(cè)量微米量級(jí)移動(dòng)的微型網(wǎng)格狀硅結(jié)構(gòu)。當(dāng)硅結(jié)構(gòu)處于一個(gè)電場(chǎng)中時(shí)，在硅晶上會(huì)產(chǎn)生一定的作用力，使彈簧發(fā)生輕微的延展或壓縮。
a. 這款MEMS電場(chǎng)傳感器的測(cè)量原理：一個(gè)質(zhì)量塊（m）懸置于一個(gè)彈性元件（剛性k）上，而彈性元件固定于一個(gè)導(dǎo)電的固定框架上。當(dāng)置于電場(chǎng)（E）中時(shí)，靜電感應(yīng)會(huì)在質(zhì)量塊上產(chǎn)生一個(gè)作用力（F es）。質(zhì)量塊在這個(gè)作用力下會(huì)產(chǎn)生一定的位移（δx），再利用光學(xué)原理對(duì)位移進(jìn)行測(cè)量；b. 該器件的剖視圖，展示了LED發(fā)射的光，可以穿過(guò)網(wǎng)格狀硅結(jié)構(gòu)和孔洞之間的間隙，投射到下方的光電二極管上，質(zhì)量塊的移動(dòng)改變了不透光區(qū)域和孔洞之間的間隙，從而改變了LED發(fā)射光能夠到達(dá)光電探測(cè)器的進(jìn)光量；c. 這款MEMS電場(chǎng)傳感器的3D視圖；d. 這款MEMS電場(chǎng)傳感器的掃描電鏡圖質(zhì)量塊細(xì)微的位移如何測(cè)量呢，研究人員設(shè)計(jì)了一種光學(xué)解決方案：在可動(dòng)網(wǎng)狀硅結(jié)構(gòu)的上方再設(shè)置一層網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，上下兩層網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的孔洞精準(zhǔn)的排列，上層的開(kāi)孔和下層的不透光區(qū)域精確對(duì)準(zhǔn)，也就是說(shuō)在下層網(wǎng)狀硅結(jié)構(gòu)沒(méi)有發(fā)生位移時(shí)，LED光是無(wú)法穿透這兩層硅結(jié)構(gòu)的。當(dāng)傳感器置于一個(gè)電場(chǎng)中時(shí)，下層網(wǎng)狀硅結(jié)構(gòu)在靜電力作用下發(fā)生了位移，使上下兩層網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)之間有了縫隙，LED光便能從縫隙中穿過(guò)到達(dá)下方的光電探測(cè)器上。通過(guò)測(cè)量進(jìn)光量，利用合適的校準(zhǔn)器件便能計(jì)算出這個(gè)電場(chǎng)的強(qiáng)度。原型器件的精確度令人振奮這款MEMS電場(chǎng)傳感器不能測(cè)量電場(chǎng)的方向，但能夠精確測(cè)量電場(chǎng)的強(qiáng)度，它可以測(cè)量從低頻到高達(dá)1KHz的電場(chǎng)強(qiáng)度。利用我們的原型傳感器，可以高可靠地測(cè)量小于200伏特/米的弱電場(chǎng)， Andreas Kainz說(shuō)，這意味著我們的系統(tǒng)已經(jīng)與現(xiàn)有產(chǎn)品的性能相當(dāng)，并且，我們的傳感器更小、更簡(jiǎn)單。此外，這款MEMS傳感器還有很大的改進(jìn)空間。其它的測(cè)量方法已經(jīng)是成熟的方案，我們的這款MEMS電場(chǎng)傳感器才剛剛設(shè)計(jì)成型。未來(lái)，它肯定還能改進(jìn)的更好。推薦培訓(xùn)：2018年3月30日至4月1日，麥姆斯咨詢(xún)主辦的MEMS制造工藝培訓(xùn)課程將在無(wú)錫舉行，培訓(xùn)內(nèi)容包含：（1）硅基MEMS制造工藝及典型制造工藝流程詳解；（2）晶圓級(jí)芯片尺寸封裝（WLCSP）相關(guān)的晶圓級(jí)凸點(diǎn)、TSV和臨時(shí)鍵合工藝；（3）時(shí)下最熱門(mén)傳感器的特殊薄膜材料（AlN、ZnO和PZT壓電薄膜）制造工藝及應(yīng)用，如FBAR濾波器、壓電麥克風(fēng)等；（4）3D傳感產(chǎn)業(yè)的熱點(diǎn)VCSEL激光器重要工藝設(shè)備、工藝難點(diǎn)、工藝控制等；（5）非硅基MEMS制造工藝及應(yīng)用，主要針對(duì)塑料基、玻璃基、金屬基和紙基微流控器件的制造工藝。
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